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半導體芯片冷熱沖擊試驗方法高低溫沖擊試驗箱
點擊次數(shù):776 更新時間:2023-08-21

半導體芯片冷熱沖擊試驗方法高低溫沖擊試驗箱

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目的:

芯片在生產(chǎn)過程中,需要對其進行冷熱沖擊試驗。一般情況下,民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃,其他芯片性能更高,正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍,當芯片不工作時,可以承受超過 200℃ 的焊接溫度。

試件:

將試件芯片通電置于置物架上;

根據(jù)要求設(shè)定試驗溫度:

首先對試件進行低溫試驗,再進行高溫試驗,循環(huán)次數(shù)依要求進行:記錄半導體芯片工作狀態(tài)下,在設(shè)定溫度下的相關(guān)參數(shù),對產(chǎn)品分析,工藝改進以及批次的定向品質(zhì)追溯提供確實的數(shù)據(jù)依據(jù)。

試件從低溫或是高溫試驗開始,不同標準有不同的解析。若試驗從低溫段開始,試驗結(jié)束在高溫段,若試驗從高溫段開始,結(jié)束在低溫段。為防止試件在試驗結(jié)束后表面產(chǎn)品凝露,試驗結(jié)束在低溫段時需要增加烘干恢復的過程,這樣就增加了試驗周期,建議試驗從低溫段開始,結(jié)束在高溫段。

溫度范圍:-65℃~150℃

低溫沖擊:-40℃,-55℃,-65℃

高溫沖擊:65℃,85℃,125℃

溫度沖擊時間小于3min,1min

溫度保持時間30min,60min

測試時間不能少于1000個循環(huán)

熱壓器/無偏壓 HAST測試 參考標準:JESD22-A118

溫度范圍:100℃~143℃

濕度范圍:70%RH~100%RH

壓力范圍:0.5kg~3.5kg

測試時間不能少于200小時,具體根據(jù)用戶實際要求,有些需要達到500小時到1000小時等不同時間

其他測試標準:GB/T 2423.1-2001 試驗A:低溫試驗方法,試驗B:高溫試驗方法,GJB 150.3-1986 高溫試驗, 低溫試驗, GB 11158《高溫試驗箱技術(shù)條件》, IEC60068-2-14 等測試標準。


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